Name: DMG6602SVTX-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMG6602SVTX-7TR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMG6602SVTX-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMG6602SVTX-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMG6602SVTX-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMG6602SVTX-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMG6602SVTX-7
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 3,4A (Ta), 2,8A (Ta) 840mW (Ta) Oberflächenmontage TSOT-26
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMG6602SVTX-7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal komplementär
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,4A (Ta), 2,8A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 3,1A, 10V, 95mOhm bei 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13nC bei 10V, 9nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	400pF bei 15V, 420pF bei 15V
Leistung - Max.	840mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSOT-26
Basis-Produktnummer	DMG6602