Name: DMN2016UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2016UTS-13DITR-ND
Price: 0.76751 CHF
Availability: InStock

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DMN2016UTS-13
DigiKey-Teilenr.	DMN2016UTS-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN2016UTS-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN2016UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN2016UTS-13
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 8,58 A 880mW Oberflächenmontage 8-TSSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN2016UTS-13 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Drain
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,58 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,5mOhm bei 9,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16,5nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1495pF bei 10V
Leistung - Max.	880mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSSOP
Basis-Produktnummer	DMN2016

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