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Diodes Incorporated
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Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
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Stückpreis : Fr. 0.65000
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Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
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Datenblatt
MOSFETs - Arrays 60V 630mA 820mW Oberflächenmontage TSOT-26
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN61D8LVTQ-13

DigiKey-Teilenr.
DMN61D8LVTQ-13DI-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DMN61D8LVTQ-13
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 60V 630mA 820mW Oberflächenmontage TSOT-26
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 1mA
Hersteller
Diodes Incorporated
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,74nC bei 5V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12,9pF bei 12V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
820mW
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
Montagetyp
Oberflächenmontage
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Gehäuse / Hülle
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TSOT-26
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
630mA
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,8Ohm bei 150mA, 5V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
DMN61D8LVT-13Diodes Incorporated031-DMN61D8LVT-13CT-NDFr. 0.65000Parametrisches Äquivalent
DMN61D8LVT-7Diodes Incorporated0DMN61D8LVT-7DICT-NDFr. 0.65000Parametrisches Äquivalent
DMN61D8LVTQ-7Diodes Incorporated0DMN61D8LVTQ-7DICT-NDFr. 0.63000Parametrisches Äquivalent
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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