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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

BC858B
Diotec Semiconductor
Vorrätig: 15’595
Stückpreis : Fr. 0.09000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

BC858B-AQ
Diotec Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.01254
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

BC859B-AQ
Diotec Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.01217
Datenblatt

Direkter Ersatz

BC858C-HF
Comchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.03506
Datenblatt

Ähnlich

BC858A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 8’990
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Ähnlich

BC858B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 8’990
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Ähnlich

BC858BLT1G
onsemi
Vorrätig: 13’089
Stückpreis : Fr. 0.10000
Datenblatt

Ähnlich

BC858BT116
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.06333
Datenblatt

Ähnlich

BC858C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 9’000
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Ähnlich

BC859C,215
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 4’467
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Ähnlich

BCW30,235
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 9’961
Stückpreis : Fr. 0.22000
Datenblatt

Ähnlich

BCW61DE6327HTSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

NSVBC858BLT1G
onsemi
Vorrätig: 14’127
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Ähnlich

NSVBC858CLT1G
onsemi
Vorrätig: 3’619
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt
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BC849C
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BC859B

DigiKey-Teilenr.
4878-BC859B-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
BC859B
Beschreibung
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BC859B Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
650mV bei 5mA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
15 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
220 bei 2mA, 5V
Leistung - Max.
250 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
3’000Fr. 0.00935Fr. 28.05
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 0.00935
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 0.01011