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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Diotec Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.09000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Diotec Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.01221
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Diotec Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.01185
Datenblatt

Direkter Ersatz


Comchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.03414
Datenblatt

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Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 8’978
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

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Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 8’970
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 21’835
Stückpreis : Fr. 0.09000
Datenblatt

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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.06166
Datenblatt

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Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 8’900
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.11000
Datenblatt

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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 9’961
Stückpreis : Fr. 0.18000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 3’895
Stückpreis : Fr. 0.14000
Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BC859B

DigiKey-Teilenr.
4878-BC859B-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BC859B
Beschreibung
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BC859B Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
15 nA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
220 bei 2mA, 5V
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
250 mW
Status der Komponente
Aktiv
Frequenz - Übergang
100MHz
Transistor-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Montagetyp
Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
650mV bei 5mA, 100mA
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (19)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
BC858BDiotec Semiconductor04878-BC858BCT-NDFr. 0.09000Parametrisches Äquivalent
BC858B-AQDiotec Semiconductor04878-BC858B-AQ-NDFr. 0.01221Parametrisches Äquivalent
BC859B-AQDiotec Semiconductor04878-BC859B-AQ-NDFr. 0.01185Parametrisches Äquivalent
BC858C-HFComchip Technology0BC858C-HF-NDFr. 0.03414Direkter Ersatz
BC858A RFGTaiwan Semiconductor Corporation8’9781801-BC858ARFGCT-NDFr. 0.14000Ähnlich
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