Name: DI002N10PWK-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI002N10PWK-AQ-ND
Price: 0.48645 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DI002N10PWK-AQ
DigiKey-Teilenr.	4878-DI002N10PWK-AQ-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DI002N10PWK-AQ
Beschreibung	DI002N10PWK-AQ
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 2 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 6-QFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DI002N10PWK-AQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	250mOhm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	454 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-QFN (2x2)
Gehäuse / Hülle	6-PowerUDFN

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