Name: DI022N20PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI022N20PQ-AQ-ND
Price: 1.92418 CHF
Availability: OutOfStock

DI022N20PQ-AQ ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

Diotec Semiconductor

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 0.40168

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DI022N20PQ-AQ
DigiKey-Teilenr.	4878-DI022N20PQ-AQ-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DI022N20PQ-AQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 22A 8QFN
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 22 A (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage 8-QFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DI022N20PQ-AQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-QFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DI022N20