Name: DI110N03PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI110N03PQ-ND
Price: 0.62227 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DI110N03PQ
DigiKey-Teilenr.	4878-DI110N03PQ-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DI110N03PQ
Beschreibung	MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 110 A (Tc) 56W (Tc) Oberflächenmontage 8-QFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DI110N03PQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,65mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1860 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	56W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-QFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN

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