Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 1.70798 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DI2A2N100D1K
DigiKey-Teilenr.	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DI2A2N100D1K
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 2,2 A (Tc) 30W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DI2A2N100D1K Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,8Ohm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	510 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252 (DPAK)
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63