DIW085N06
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DIW065SIC049

DigiKey-Teilenr.
4878-DIW065SIC049-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DIW065SIC049
Beschreibung
SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 60A, 6
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 550W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
DIW065SIC049 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
49mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
128 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2612 pF @ 600 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
550W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
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30Fr. 16.33400Fr. 490.02
120Fr. 12.37467Fr. 1’484.96
510Fr. 9.27614Fr. 4’730.83
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 25.02000
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