Name: DIW120SIC028
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW120SIC028-ND
Price: 68.5354 CHF
Availability: InStock

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DIW120SIC028
DigiKey-Teilenr.	4878-DIW120SIC028-ND
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DIW120SIC028
Beschreibung	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 118A,
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 118A (Tc) 715W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DIW120SIC028 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	118A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28mOhm bei 80A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 25mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	373 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5691 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	715W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	Fr. 41.08100	Fr. 1’232.43
120	Fr. 31.06917	Fr. 3’728.30

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