EPC2108 EPC | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

EPC2108
DigiKey-Teilenr.	917-1169-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 917-1169-1-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	EPC
Hersteller-Teilenummer	EPC2108
Beschreibung	MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V, 100V 1,7A, 500mA Oberflächenmontage 9-BGA (1,35x1,35)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	EPC
Serie	eGaN®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Konfiguration	3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V, 100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,7A, 500mA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 2,5A, 5V, 3,3Ohm bei 2,5A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 100µA, 2,5V bei 20µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	22pF bei 30V, 7pF bei 30V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	9-VFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten	9-BGA (1,35x1,35)
Basis-Produktnummer	EPC210