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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 6 A 20MHz 60 W Durchkontaktierung TO-3PN
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2SC4466

DigiKey-Teilenr.
5272-2SC4466-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2SC4466
Beschreibung
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLAN
Standardlieferzeit des Herstellers
2 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 6 A 20MHz 60 W Durchkontaktierung TO-3PN
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,5V bei 0,2A, 2A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 bei 2A, 4V
Leistung - Max.
60 W
Frequenz - Übergang
20MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PN
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510Fr. 1.20222Fr. 613.13
1’020Fr. 1.11769Fr. 1’140.04
2’010Fr. 1.08075Fr. 2’172.31
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