Name: G3R40MT12D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R40MT12D-ND
Price: 15.06914 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R40MT12D
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R40MT12D-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R40MT12D
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 71 A (Tc) 333W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	G3R40MT12D Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	71 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	48mOhm bei 35A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,69V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	106 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2929 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	333W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	G3R40

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10	Fr. 12.72000	Fr. 127.20
25	Fr. 12.26400	Fr. 306.60
100	Fr. 11.61610	Fr. 1’161.61
250	Fr. 11.20004	Fr. 2’800.01
500	Fr. 10.89600	Fr. 5’448.00

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