Name: G3R450MT17J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R450MT17J-ND
Price: 5.10233 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R450MT17J
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R450MT17J-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R450MT17J
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 9 A (Tc) 91W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	585mOhm bei 4A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,7V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	454 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	91W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	G3R450

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