
MUR20010CTR | |
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DigiKey-Teilenr. | 1242-1033-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MUR20010CTR |
Beschreibung | DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER |
Standardlieferzeit des Herstellers | 7 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Diodenarray 1 Paar gemeinsameAnoden 100 V 100A Chassisbefestigung Doppelturm |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | MUR20010CTR Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
Serie | - | |
Verpackung | Lose im Beutel | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Diodenkonfiguration | 1 Paar gemeinsameAnoden | |
Technologie | Standard | |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) | 100 V | |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A | |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If | 1.3 V @ 100 A | |
Geschwindigkeit | Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io) | |
Umkehrerholungszeit (trr) | 75 ns | |
Strom - Sperrleckstrom bei Vr | 25 µA @ 50 V | |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C bis 150°C | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Doppelturm | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | Doppelturm | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 40 | Fr. 70.52025 | Fr. 2’820.81 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 70.52025 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 76.23239 |

