Name: G2012
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2012TR-ND
Price: 0.57293 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G2012
DigiKey-Teilenr.	3141-G2012TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3141-G2012CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3141-G2012DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G2012
Beschreibung	N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 12 A (Tc) 1,5W (Tc) Oberflächenmontage 6-DFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1255 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-DFN (2x2)
Gehäuse / Hülle	6-WDFN mit freiliegendem Pad

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)