Name: GC20N65T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC20N65T-ND
Price: 3.30786 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GC20N65T
DigiKey-Teilenr.	3141-GC20N65T-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GC20N65T
Beschreibung	N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	SuperJunction
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	170mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1724 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	151W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.06000	Fr. 3.06
50	Fr. 1.55240	Fr. 77.62
100	Fr. 1.40620	Fr. 140.62
500	Fr. 1.15010	Fr. 575.05
1’000	Fr. 1.06785	Fr. 1’067.85
2’000	Fr. 1.02000	Fr. 2’040.00

Standardverpackung des Herstellers

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