Name: GT023N10T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT023N10T-ND
Price: 4.06456 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 140 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

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GT023N10T
DigiKey-Teilenr.	3141-GT023N10T-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GT023N10T
Beschreibung	N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 140 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 250µA
Herst. Goford Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 90 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8086 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 140 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,7mOhm bei 20A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.76000	Fr. 3.76
50	Fr. 1.93520	Fr. 96.76
100	Fr. 1.75860	Fr. 175.86
500	Fr. 1.44918	Fr. 724.59
1’000	Fr. 1.34984	Fr. 1’349.84
2’000	Fr. 1.26633	Fr. 2’532.66
5’000	Fr. 1.24153	Fr. 6’207.65

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