Name: GT105N10M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT105N10MTR-ND
Price: 1.63231 CHF
Availability: InStock

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GT105N10M
DigiKey-Teilenr.	3141-GT105N10MTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3141-GT105N10MCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3141-GT105N10MDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GT105N10M
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Goford Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1675 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 20A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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