GSFD9R706
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GSFD4N65

DigiKey-Teilenr.
4786-GSFD4N65-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GSFD4N65
Beschreibung
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 77W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,7Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
430 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
77W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Gehäuse / Hülle
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Stange
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1Fr. 0.56000Fr. 0.56
10Fr. 0.34800Fr. 3.48
100Fr. 0.22370Fr. 22.37
500Fr. 0.16998Fr. 84.99
1’000Fr. 0.15266Fr. 152.66
2’500Fr. 0.13388Fr. 334.70
5’000Fr. 0.12226Fr. 611.30
10’000Fr. 0.11248Fr. 1’124.80
50’000Fr. 0.09800Fr. 4’900.00
Standardverpackung des Herstellers
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