Name: GSFT9R706
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSFT9R706-ND
Price: 0.8648 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GSFT9R706
DigiKey-Teilenr.	4786-GSFT9R706-ND
Hersteller	Good-Ark Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GSFT9R706
Beschreibung	MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 60 A (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Good-Ark Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,7mOhm bei 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2200 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB

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1	Fr. 0.80000	Fr. 0.80
10	Fr. 0.49800	Fr. 4.98
100	Fr. 0.32500	Fr. 32.50
800	Fr. 0.23376	Fr. 187.01
1’600	Fr. 0.21238	Fr. 339.81
2’400	Fr. 0.20148	Fr. 483.55
5’600	Fr. 0.18198	Fr. 1’019.09
10’400	Fr. 0.17013	Fr. 1’769.35

Standardverpackung des Herstellers

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