8-DIP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HTNFET-D

DigiKey-Teilenr.
342-1078-ND
Hersteller
Honeywell Aerospace
Hersteller-Teilenummer
HTNFET-D
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 50W (Tj) Durchkontaktierung 8-CDIP-EP
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Honeywell Aerospace
Serie
HTMOS™
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 100mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.3 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
290 pF @ 28 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C bis 225°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-CDIP-EP
Gehäuse / Hülle
8-CDIP mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer
HTNFET
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