Name: AIMDQ75R020M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R020M1HXUMA1TR-ND
Price: 13.99895 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMDQ75R020M1HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMDQ75R020M1HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-AIMDQ75R020M1HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-AIMDQ75R020M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMDQ75R020M1HXUMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 81A (Tj) 326W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AIMDQ75R020M1HXUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	750 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	81A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18mOhm bei 32,5A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 11,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	67 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2217 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	326W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul