Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AUIRF7103Q

DigiKey-Teilenr.
AUIRF7103Q-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
AUIRF7103Q
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 50V 3A 2,4W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
255pF bei 25V
Leistung - Max.
2,4W
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
AUIRF7103
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Obsolet
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