AUIRF7303Q Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AUIRF7303Q
DigiKey-Teilenr.	AUIRF7303Q-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AUIRF7303Q
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 5,3A 2,4W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	515pF bei 25V
Leistung - Max.	2,4W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	AUIRF7103