AUIRFS3107-7P Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

AUIRFS3107-7P ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AUIRFS3107-7P
DigiKey-Teilenr.	AUIRFS3107-7P-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AUIRFS3107-7P
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 240 A (Tc) 370W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK (7-Lead)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	240 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,6mOhm bei 160A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9200 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	370W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK (7-Lead)
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)