PG-TO263-7
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AUIRFSA8409-7P

DigiKey-Teilenr.
AUIRFSA8409-7P-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
AUIRFSA8409-7P
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 523 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
AUIRFSA8409-7P Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
523 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,69mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
460 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
13975 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO263-7
Gehäuse / Hülle
TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Basis-Produktnummer
AUIRFSA8409
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Obsolet
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