AUIRLR3410 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AUIRLR3410
DigiKey-Teilenr.	AUIRLR3410-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AUIRLR3410
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 79W (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 34 nC @ 5 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±16V
Serie HEXFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 800 pF @ 25 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA (DPAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 105mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer AUIRLR3410
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA