Name: BSB165N15NZ3GXUMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSB165N15NZ3GXUMA3TR-ND
Price: 0.94588 CHF
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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BSB165N15NZ3GXUMA3
DigiKey-Teilenr.	448-BSB165N15NZ3GXUMA3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSB165N15NZ3GXUMA3
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 9 A (Ta), 45 A (Tc) 2,8W (Ta), 78W (Tc) Oberflächenmontage MG-WDSON-2-9
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Ta), 45 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,5mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 110µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2800 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	MG-WDSON-2-9
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, MZ

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