Name: BSC009NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 1.99985 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC009NE2LS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC009NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC009NE2LS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 41A (Ta), 223A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC009NE2LS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3900 pF @ 12 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 74W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-7
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 41A (Ta), 223A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSC009
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,9mOhm bei 30A, 10V