BSC019N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Infineon Technologies

Vorrätig: 11’218

Stückpreis : Fr. 1.42000

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BSC019N02KSGAUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC019N02KSGAUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC019N02KSGAUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 30 A (Ta), 100 A (Tc) 2,8W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC019N02KSGAUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,95mOhm bei 50A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 350µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13000 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC019