BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC018NE2LSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC018NE2LSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC018NE2LSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC018NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC018NE2LSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 29 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC018NE2LSIATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,8mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2500 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC018