Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 4.19428 CHF
Availability: InStock

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BSC019N08NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC019N08NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC019N08NS5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28A (Ta), 237A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 146µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8600 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-8-3
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 3.88000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 4.19428

BSC019N08NS5ATMA1