Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 4.55101 CHF
Availability: InStock

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BSC019N08NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC019N08NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC019N08NS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,9mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 146µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 117 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8600 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 214W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 28A (Ta), 237A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN