Name: BSC027N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC027N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: InStock

BSC027N10NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC027N10NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC027N10NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC027N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC027N10NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC027N10NS5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	23 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,7mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 146µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8200 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-8-3
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC027

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 4.18000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 4.51858

BSC027N10NS5ATMA1