Name: BSC027N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC027N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 5.59958 CHF
Availability: InStock

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BSC027N10NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC027N10NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC027N10NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC027N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC027N10NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 23 A (Ta), 100 A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC027N10NS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 146µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 111 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8200 pF @ 50 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 214W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer BSC027
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,7mOhm bei 50A, 10V

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