BSC037N025S G Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

BSC037N025S G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC037N025S G
DigiKey-Teilenr.	BSC037N025SG-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC037N025S G
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 21 A (Ta), 100 A (Tc) 2,8W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,7mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	29 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3660 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN