Name: BSC060P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC060P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 1.27558 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC060P03NS3EGATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC060P03NS3EGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC060P03NS3EGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC060P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC060P03NS3EGATMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 17,7 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC060P03NS3EGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,7 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,1V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6020 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC060