Name: BSS225H6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS225H6327FTSA1TR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSS225H6327FTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSS225H6327FTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSS225H6327FTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSS225H6327FTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSS225H6327FTSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT89
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSS225H6327FTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	45Ohm bei 90mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 94µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	131 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT89
Gehäuse / Hülle	TO-243AA
Basis-Produktnummer	BSS225