Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8

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BSZ0901NSATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ0901NSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ0901NSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ0901NSATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2850 pF @ 15 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Ta), 40 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSZ0901
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2mOhm bei 20A, 10V

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Ersatzartikel (2)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	0	BSZ019N03LSATMA1CT-ND	Fr. 1.64000	Vom Hersteller empfohlen
FDMS8820	onsemi	5’176	FDMS8820CT-ND	Fr. 1.53000	Ähnlich

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