Name: BSZ110N06NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ110N06NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.13505 CHF
Availability: OutOfStock

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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

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Vorrätig: 4’684

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BSZ110N06NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ110N06NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ110N06NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ110N06NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ110N06NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 20 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ110N06NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 23µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2700 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer BSZ110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 20A, 10V

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Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
FDMC86520L	onsemi	4’684	FDMC86520LCT-ND	Fr. 2.70000	Direkter Ersatz
RH6L040BGTB1	Rohm Semiconductor	9’270	846-RH6L040BGTB1CT-ND	Fr. 2.33000	Ähnlich
RJK0660DPA-00#J5A	Renesas Electronics Corporation	2’900	559-RJK0660DPA-00#J5ACT-ND	Fr. 3.36000	Ähnlich

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