Name: DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-DF17MR12W1M1HFB68BPSA1-ND
Price: 54.76346 CHF
Availability: InStock

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DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
DigiKey-Teilenr.	448-DF17MR12W1M1HFB68BPSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
Beschreibung	LOW POWER EASY
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 45A (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	EasyPACK™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	45A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,2mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,15V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	149 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+20V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4400 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	-
Gehäuse / Hülle	Modul
Basis-Produktnummer	DF17MR12

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