Name: SIHB28N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB28N60EF-GE3-ND
Price: 5.03746 CHF
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHB28N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHB28N60EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHB28N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	123mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2714 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SIHB28

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1	Fr. 4.66000	Fr. 4.66
50	Fr. 2.48960	Fr. 124.48
100	Fr. 2.28080	Fr. 228.08
500	Fr. 2.23000	Fr. 1’115.00

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