FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF11MR12W1M1B11BOMA1
DigiKey-Teilenr.	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 100A Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 100A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,55V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	250nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7950pF bei 800V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FF11MR12