FF11MR12W1M1B70BPSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF11MR12W1M1B70BPSA1
DigiKey-Teilenr.	448-FF11MR12W1M1B70BPSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF11MR12W1M1B70BPSA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 100 A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY1B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,3mOhm bei 100A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,55V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	248nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7360pF bei 800V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	AG-EASY1B
Basis-Produktnummer	FF11MR12