FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF2MR12KM1HOSA1
DigiKey-Teilenr.	448-FF2MR12KM1HOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF2MR12KM1HOSA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 500 A (Tc) Chassisbefestigung AG-62MM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FF2MR12KM1HOSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	500 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,13mOhm bei 500A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,15V bei 224mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1340nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	39700pF bei 800V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	AG-62MM
Basis-Produktnummer	FF2MR12

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