FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
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FF2MR12W3M1HB11BPSA1

DigiKey-Teilenr.
448-FF2MR12W3M1HB11BPSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 400A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY3B
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
400A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,27mOhm bei 400A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,15V bei 224mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1600nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
48400pF bei 800V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
AG-EASY3B
Basis-Produktnummer
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