Name: FF3MR12KM1HHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Price: 263.62347 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF3MR12KM1HHPSA1
DigiKey-Teilenr.	448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF3MR12KM1HHPSA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 190 A (Tc) Chassisbefestigung AG-62MMHB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FF3MR12KM1HHPSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,44mOhm bei 280A, 18V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 112mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 800nC bei 18V
Verpackung Box	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 24200pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Montagetyp Chassisbefestigung
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Gehäuse / Hülle Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäusetyp vom Lieferanten AG-62MMHB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 190 A (Tc)