FF3MR12KM1HPHPSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF3MR12KM1HHPSA1

DigiKey-Teilenr.
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
FF3MR12KM1HHPSA1
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 190 A (Tc) Chassisbefestigung AG-62MMHB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FF3MR12KM1HHPSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Verpackung
Box
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
190 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,44mOhm bei 280A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 112mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
800nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
24200pF bei 800V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
AG-62MMHB
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