FF3MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Infineon Technologies

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FF3MR12KM1HOSA1
DigiKey-Teilenr.	448-FF3MR12KM1HOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF3MR12KM1HOSA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 375 A (Tc) Chassisbefestigung AG-62MM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FF3MR12KM1HOSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	375 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,83mOhm bei 375A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,15V bei 168mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1000nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	29800pF bei 25V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	AG-62MM
Basis-Produktnummer	FF3MR12