FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FS45MR12W1M1B11BOMA1
DigiKey-Teilenr.	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Beschreibung	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY1BM-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	45mOhm bei 25A, 15V (typisch)
Vgs(th) (max.) bei Id	5,55V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	62nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1840pF bei 800V
Leistung - Max.	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	AG-EASY1BM-2
Basis-Produktnummer	FS45MR12

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