Name: IAUC120N04S6L008ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6L008ATMA1TR-ND
Price: 2.9187 CHF
Availability: InStock

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IAUC120N04S6L008ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IAUC120N04S6L008ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IAUC120N04S6L008ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IAUC120N04S6L008ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC120N04S6L008ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 120 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-33
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC120N04S6L008ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 140 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±16V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7910 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-33
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,8mOhm bei 60A, 10V	Basis-Produktnummer IAUC120
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 90µA

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