Name: IAUC60N04S6L030HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N04S6L030HATMA1TR-ND
Price: 2.06471 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUC60N04S6L030HATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUC60N04S6L030HATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUC60N04S6L030HATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUC60N04S6L030HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC60N04S6L030HATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-56
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC60N04S6L030HATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	35nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2128pF bei 25V
Leistung - Max.	75W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-56
Basis-Produktnummer	IAUC60